RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
55
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
55
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.4
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2424
3593
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link