RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Compara
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
72
En 60% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
6.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
3.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
72
Velocidad de lectura, GB/s
6.9
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
3.8
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
865
1593
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link