RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
72
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
6.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
3.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
72
Prędkość odczytu, GB/s
6.9
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
3.8
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
865
1593
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link