RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
72
Около 60% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
6.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
3.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
72
Скорость чтения, Гб/сек
6.9
15.3
Скорость записи, Гб/сек
3.8
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
865
1593
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link