RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Compara
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
51
En -122% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
23
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2182
3356
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link