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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
56
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
56
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1314
2455
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
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Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
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