RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
56
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
10.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
56
Скорость чтения, Гб/сек
10.7
20.1
Скорость записи, Гб/сек
6.8
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1314
2455
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kllisre 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link