RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
40
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.9
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2871
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7MFR4C-PB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link