RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
40
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
32
读取速度,GB/s
12.3
16.4
写入速度,GB/s
8.9
12.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2871
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link