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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
40
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
12.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2871
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
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