RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
73
En 41% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
73
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1314
1724
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link