RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
73
Около 41% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
10.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
73
Скорость чтения, Гб/сек
10.7
15.1
Скорость записи, Гб/сек
6.8
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1314
1724
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link