RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Compara
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
43
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
3385
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/2GX 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link