RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB против Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
43
Около -34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1706
3385
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link