RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Compara
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
37
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
29
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2065
2865
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link