RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Comparez
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Note globale
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
37
Autour de -28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
14900
Autour de 1.29 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
29
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
19200
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2065
2865
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link