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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Confronto
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
37
Intorno -28% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
14900
Intorno 1.29 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
29
Velocità di lettura, GB/s
9.8
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
19200
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2065
2865
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
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