SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 37
    Intorno -28% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.8 left arrow 9.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.2 left arrow 7.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 14900
    Intorno 1.29 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    37 left arrow 29
  • Velocità di lettura, GB/s
    9.8 left arrow 15.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.2 left arrow 12.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2065 left arrow 2865
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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