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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Compara
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
37
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
14900
En 1.57 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
30
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
23400
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2065
3310
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
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