SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

总分
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

总分
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Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    30 left arrow 37
    左右 -23% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    16.4 left arrow 9.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    13.1 left arrow 7.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    23400 left arrow 14900
    左右 1.57 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    37 left arrow 30
  • 读取速度,GB/s
    9.8 left arrow 16.4
  • 写入速度,GB/s
    7.2 left arrow 13.1
  • 内存带宽,mbps
    14900 left arrow 23400
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2065 left arrow 3310
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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最新比较