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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Compara
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
73
En 49% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.2
7.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
73
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
7.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2065
1609
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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