RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 73
    周辺 49% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.2 left arrow 7.1
    テスト平均値
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB 考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.1 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 14900
    周辺 1.29 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 73
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 14.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 7.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2065 left arrow 1609

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB RAMの比較

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
メモリRAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
メモリRAM