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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Compara
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1822
3819
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
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