RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Comparez
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Note globale
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
28
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.6
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1822
3819
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3U1333C9 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link