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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
10600
Autour de 2.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
23400
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2761
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
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