RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2761
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M391B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Team Group Inc. ZEUS-1600 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link