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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
30
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
10600
Rund um 2.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
23400
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2761
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
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