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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Compara
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1822
3551
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Kingston HX432C15PB3/16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
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