RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Compara
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
41
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.1
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
34
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
2319
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link