RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
41
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.1
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
34
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
11.1
Скорость записи, Гб/сек
7.1
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1484
2319
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link