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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Confronto
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
41
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.1
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
34
Velocità di lettura, GB/s
10.1
11.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1484
2319
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-032.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
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