RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Compara
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Puntuación global
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
42
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
36
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2535
2572
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link