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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
44
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
3601
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
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