RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3601
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
SK Hynix 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link