RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
44
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
3601
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link