RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
44
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
2928
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link