RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
11.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
44
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
44
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
11.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
2066
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link