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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
44
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
36
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
2497
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
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