SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Средняя оценка

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Сообщить об ошибке

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 44

Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.8 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.8 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 36
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 15.8
Скорость записи, Гб/сек

7.8 11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1977 2497

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Kingston XF875V-MIH 8GB

Kingston XF875V-MIH 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingston 9905744-027.A00G 16GB

Kingston 9905744-027.A00G 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB

G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB

Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB

модули RAM