RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
8500
Около 3.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
25600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3546
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link