RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3546
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link