RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
44
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
2637
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link