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SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Compara
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
53
En 21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
53
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2186
2356
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
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Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
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