RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
53
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
53
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2186
2356
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link