RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Confronto
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
53
Intorno 21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
10.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
53
Velocità di lettura, GB/s
14.0
10.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2186
2356
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link