RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Compara
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
65
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
1,711.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,018.7
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,711.1
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
2358
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link