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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
66
En -214% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
21
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
2930
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
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