RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
11.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
65
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
11.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2245
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link