RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
11.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
65
Intorno -91% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.6
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
34
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
11.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
2245
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston KVR648-PSB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link