RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
43
En 37% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
43
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
2250
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link