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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
比较
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
总分
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 37% 更低的延时
需要考虑的原因
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
43
读取速度,GB/s
12.2
14.7
写入速度,GB/s
7.8
8.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1763
2250
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB RAM的比较
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Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
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